技术参数：

样品腔尺寸：净内径为26 mm；基系统磁场强度：纵向磁体:±9 T；场均匀性：±0.01%

磁场分辨率:  0.02 mT    0<H<1 T；0.2 mT 1<H<9 T；最大测量电阻：4MΩ

温度范围：1.9-400K

 

主要应用领域：可进行交直流电阻、微分电阻、霍尔效应和伏安特性等测量。使用专用样品托，每次可同时测量2个样品。。